国外研究人员发现部分脑细胞中的DNA会因外界刺激而损伤并有助巩固记忆

人的记忆能力对于学习有非常大的帮助，因此人人皆希望拥有优秀的记忆能力。最近，美国爱因斯坦医学院的研究人员在英国《自然》杂志上发表了新研究，通过对小鼠进行实验，得出了一个有趣的结论。该研究团队发现，在长期记忆形成的过程中，脑细胞中的DNA可能会因为外界刺激而受到损伤。这种损伤会触发脑部炎症反应来修复。而且，这种炎症反应有助于巩固记忆。这个发现对于理解记忆的机制具有重要意义。通过研究小鼠，研究人员可以更好地了解大脑在记忆形成中的作用，以及如何提高记忆能力。该研究还可以为治疗记忆力减退症提供新的思路。

研究表明，大脑神经元炎症通常被视为一种不良情况，因为它可能导致阿尔茨海默病、帕金森病等神经系统疾病的发生。但是，最近的研究表明，大脑海马体中某些神经元的炎症对于形成长期记忆至关重要。

海马体一直被认为是大脑记忆的关键区域。研究表明，外界刺激可能在某些海马体神经元中引发DNA损伤。为了及时修复这些损伤，一系列炎症反应被触发。这种损伤和修复的循环有助于小鼠形成稳定的记忆集合。

实验中，研究人员通过在新环境给予小鼠短暂、温和的电击，使其形成对在这一环境中关于电击事件的记忆。在训练4天后，研究人员发现小鼠海马体的神经元中一些参与重要炎症信号通路的基因变得活跃，但训练3周后活跃度大大降低。

研究人员发现，一种名为TLR9的蛋白会引发对细胞内部漂浮的DNA片段的免疫反应，类似免疫细胞在防御来自入侵病原体的遗传物质时出现的炎症反应。在这种情况下，神经细胞不是对入侵者做出反应，而是对它们自己的DNA做出反应。TLR9在DNA断裂且难以修复的海马体神经元子集中最为活跃。当研究人员从小鼠体内删除编码TLR9蛋白的基因时，这些动物很难唤起有关训练的长期记忆。

研究人员发现，阻断海马体神经元中的TLR9炎症通路会导致小鼠长期记忆受损，而且还会引起基因组的不稳定。这种不稳定性被认为是衰老、癌症和阿尔茨海默病等疾病的特征之一。